收藏本站
NTTFS4929N
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
0.1
0.01
0 V < V GS < 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I D = 18 A
0.1
1 10
100
25
50 75 100 125
150
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
D = 0.5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
10
1
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTTFS4930NTWG MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
NTTFS4932NTAG MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
NTTFS4937NTAG MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
NTTFS4939NTAG MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
NTTFS4941NTAG MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
NTTFS4985NFTAG MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN
NTTFS5116PLTAG MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
NTTFS5811NLTWG MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
相关代理商/技术参数
NTTFS4929NTWG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4930N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N?Channel, 8FL Notebook Battery Management
NTTFS4930NTAG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4930NTWG 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4932N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N−Channel, μ8FL
NTTFS4932NTAG 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4932NTWG 功能描述:MOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTTFS4937N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 75 A, Single N−Channel, 8FL